9月15日，工信部发布了《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》，宣告中国有了自己独立研制的光刻机。
这个消息令中国沸腾，不过三人成虎，经过口口相传后逐渐将这款两光刻机夸上了天。
9月15日，工信部宣布这两款新型国产光刻机——Krf光刻机和ArFi光刻机问世后，国内科技界仿佛被一股强烈的振奋情绪所席卷。
根据《指导目录》上的内容看，Krf光刻机，以其248nm的光源波长，达到了令人瞩目的≤110nm分辨率和≤25nm的套刻精度；
而ArFi光刻机更是以其抢眼的性能参数，使用193nm光源，实现了≤65nm的分辨率和≤8nm的套刻精度。
这些数据，确实如同一颗颗璀璨的星辰，照亮了国内科技发展的夜空，让人不禁感叹，我们似乎离全球先进光刻机的巅峰已经近在咫尺。
然而，当这股热潮逐渐退去，冷静下来的我们不得已面对一个残酷的事实：这一些数据背后的真相，并非如我们所想象的那样简单。
一些人，或许是因为对光刻机技术的了解不够深入，或许是因为过于急切的爱国情怀，将“套刻精度≤8nm”误以为是这款光刻机能制造出8nm制程的芯片，甚至有人大肆宣扬193nm光源“领先全球”。
套刻精度，顾名思义，是指光刻层之间的对准精度，它决定了芯片制作的完整过程中各层之间的精确对齐程度，对于提高芯片制造的质量至关重要。
而芯片制程，则是指芯片上晶体管之间的最小距离，它决定了芯片的性能和功耗。因此，仅凭套刻精度，并不能判断一款光刻机的先进程度。
那么，这两款新型国产光刻机在全球到底属于什么水平呢？要回答这样的一个问题，我们第一步需要深入了解光刻机的工作原理和性能指标。
光刻机，作为芯片制造的核心设备，其工作原理就像是在一个非常小的画板上以极其精细的方式画画。
在这个过程中，光源的波长、镜头的数值孔径以及光刻胶的性能等因素共同决定了光刻机的分辨率。
而分辨率的高低，则直接决定了在同尺寸的硅晶圆上能够雕刻出多少晶体管和电路图案。
从纸面数据分析来看，Krf光刻机和ArFi光刻机的性能确实令人眼前一亮。不过，当我们将这一些数据与全球先进光刻机作对比时，就会发现其中的差距。
以荷兰ASML的光刻机为例，其在2006年推出的DUV光刻机XT，就已达到了193nm光源波长、57nm分辨率和7nm的套刻精度。
再来看一个更具体的例子。在芯片制作的完整过程中，光源的波长越短，理论上能达到的分辨率就越高。
目前，全球最先进的光刻机已经采用了极紫外（EUV）光源，其波长仅为13.5nm，远远小于中国新型国产光刻机所使用的248nm和193nm光源。
这意味着，在同样的工艺条件下，EUV光刻机能制造出更小制程、更高性能的芯片。
因此，尽管中国新型国产光刻机的问世无疑是一个令人振奋的消息，但我们也必须清醒地认识到其中的差距。
要准确评估中国新型国产光刻机的水平，最直接且有效的方法就是将其与全球顶尖的光刻机进行对比。
在这一领域，荷兰的ASML无疑是一座巍峨的丰碑，其技术实力和市场占有率均遥遥领先。
ASML在2006年推出的DUV光刻机XT，其技术规格至今仍然令人印象非常深刻：193nm的光源波长，配合先进的镜头系统和光刻胶技术，实现了57nm的分辨率和7nm的套刻精度。
这一成就，即便在今天看来，也是难以望其项背的。而中国新推出的ArFi光刻机，虽然同样采用了193nm的光源波长，但在分辨率和套刻精度上，与DUV光刻机XT存在一定的差距。
具体来说，ArFi光刻机的分辨率为≤65nm，套刻精度为≤8nm。这两个数据，与DUV光刻机XT的57nm分辨率和7nm套刻精度相比，显然稍逊一筹。
这不仅仅是一个数字上的差距，更代表了两种光刻机在制造芯片时所能达到的精细程度和对准精度上的差异。
从这个角度来说，中国新推出的光刻机，其技术水平确实相当于西方18年前的水平。
这一结论并非凭空臆断，而是基于客观数据和事实的对比得出的。当然，这并不代表我们的光刻机技术没取得任何进步。
不过现实地讲，当我们将目光投向全球领先水平时，就会发现我们仍就还有非常长的路要走。
此外，这款65nm分辨率的国产光刻机，可能并不是全新的研发成果，而是对上海微电子于2018年推出的90nm分辨率国产SSA600光刻机的改良版。
而SSA600光刻机本身，又是为了追赶ASML于上世纪90年代末至20世纪初研发的PAS 5500/1150C光刻机而设计的。
我们推出的ArFi光刻机，虽然在某些特定的程度上缩小了与西方的差距，但仍然落后西方18年。
但是，面对这样的差距，我们也不能妄自菲薄或气馁。毕竟，光刻机技术的研发是一项长期而艰巨的任务，需要国家综合科学技术的支持和推动。
ASML的成果也是集大成者，中国依靠自己的努力就能独立研究出光刻机，并且用几十年就缩短了与西方的差距，这已经是从废墟中走来的新中国的巨大胜利了。
参考信息源自：人民网：工信部印发《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》界面新闻：财说｜国产光刻机迎来突破，两连板的张江高科究竟受益多少？新浪财经：全新国产DUV光刻机曝光：“套刻≤8nm”是个什么水平？
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